半导体存储芯片的分类
贤集网电子元器件频道讯:半导体存储器芯片依照读写功能可分为随机读写存储器(Random Access Memory,RAM)和只读存储器(Read Only Memory,ROM)两大类。RAM可读可写,断电时新闻会丢失;ROM中的内容只能读出,不克写入,新闻可长期保存,不会由于断电而丢失。
随机读写存储器
现在普及行使的半导体随机读写存储器是MOS半导体存储器,按保存数据的机理分为静态存储器(Static RAM,SRAM)和动态存储器(Dynamic RAM,DRAM)。
1、静态存储器(SRAM)
行使双稳态触发器来保存新闻,只要一向电新闻就不会丢失。静态存储器的集成度矮,成本高,功耗较大,清淡行为Cache的存储体。
2、动态存储器(DRAM)
行使MOS电容存储电荷来保存新闻,行使时必要一向给电容充电才能保持新闻。动态存储器电路浅易,集成度高,成本矮,功耗小,但必要逆复进走刷新(Refresh)操作,做事速度较慢,适配相符为主存储器的主体片面。
刷新操作:为防止存储的新闻电荷泄露而丢误期息,由外界按肯定规律一向地给栅极进走充电,补足栅极的新闻电荷。
DRAM做事时必须要有刷新限制电路,操作比较复杂。由于要不中止地进走刷新,故称这栽存储器为动态存储器。动态MOS存储器主要采用“读出”的手段进走刷新,挨次读出存储器的每一走,就可完善对整个DRAM的刷新。
DRAM存储器的刷新必要有硬件线路的声援,这些限制线路能够集成在一个半导体芯片上,形成DRAM限制器。借助于DRAM限制器,能够把DRAM当作SRAM相通行使,从而为编制设计带来很大的方便。
3、添强型DRAM(EDRAM)
EDRAM芯片是在DRAM芯片上集成一个高速小容量的SRAM芯片而构成的,这个小容量的SRAM芯片首到高速缓存的作用,从而使DRAM芯片的性能得到隐微改进。
当CPU从主存DRAM中读取数据时,会将包含此数据的整个数据块都写入高速缓存SRAM内,下次读取不息地址数据时,CPU就能够从这个SRAM中直接取用,而不消到较慢的DRAM中读取,这样即可添快CPU的存取速度。
将由若干EDRAM芯片构成的存储模块做成小电路插件板形态,就是现在远大行使的内存条。
只读存储器
只读存储器ROM是一栽存储固定新闻的存储器,其特点是在平常做事状态下只能读取数据,不克即时修改或重新写入数据。
只读存储器电路组织浅易,且存放的数据在断电后不会丢失,稀奇正当于存储长期性的、不变的程序代码或数据(如常数外、函数、外格和字符等),计算机中的自检程序就是固化在ROM中的。
ROM的最大益处是具有不易失性。
只读存储器有不可重写只读存储器(MROM、PROM)和可重写只读存储器(EPROM、EEPROM、闪速存储器等)两大类。
不可重写只读存储器
1、掩模只读存储器(MROM)
掩模只读存储器,又称固定ROM。这栽ROM在制造时,生产厂家行使掩模(Mask)技术把新闻写入存储器中,行使时用户无法更改,正当大批量生产。
掩模只读存储器可分为二极管ROM、双极型三极管ROM和MOS管ROM三栽类型。
2、可编程只读存储器(PROM)
可编程只读存储器(Programmable ROM,简称PROM),是可由用户一次性写入新闻的只读存储器,是在MROM的基础上发展而来的。
PROM的弱点是用户只能写入一次数据,一经写入就不克再更改。
可重写只读存储器
这类ROM由用户写入数据(程序),当必要转折时还能够进走修改,行使首来比较方便。可重写ROM有紫外线擦除EPROM、电擦除EEPROM和闪速存储器Flash ROM三栽类型。
1、光擦可编程只读存储器(EPROM)
EPROM 的特点是其中的内容能够用稀奇的装配进走擦除和重写。EPROM出厂时,其存储内容为全“1”,用户可根据必要改写为“0”,当必要更新存储内容时,可将原存储内容擦除(恢复为全“1”),以便写入新的内容。
EPROM清淡是将芯片置于紫外线下照射15~20分钟旁边,以擦除其中的内容,然后用专用的设备(EPROM写入器)将新闻重新写入,一旦写入则相对固定。在闪速存储器大量行使之前,EPROM常用于柔件开发过程中。
2、电擦可编程只读存储器(EEPROM或E2PROM)
用紫外线擦除EPROM的操作复杂,速度很慢。EEPROM能够用电气手段将芯片中的存储内容擦除,擦除时间较快,甚至能够在联机状态下操作。EEPROM既可行使字擦除手段又可行使块擦除手段,行使字擦除手段可擦除一个存储单元,行使块擦除手段可擦除数据块中一切存储单元。
3、闪速存储器(Flash ROM)
闪速存储器Flash ROM是20世纪80年代中期展现的一栽块擦写型存储器,是一栽高密度、非易失性的读/写半导体存储器,它突破了传统的存储器体系,改善了现有存储器的特性。
Flash ROM中的内容或数据不像RAM相通必要电源声援才能保存,但又像RAM相通具有可重写性。在某栽矮电压下,其内部新闻可读不可写,相通于ROM,而在较高的电压下,其内部新闻能够更改和删除,相通于RAM。
Flash ROM 能够用柔件在PC机中改写或在线写入,新闻一旦写入即相对固定。所以,在PC 机中可用于存储主板的BIOS程序。由于能进走改写,便于用户自走升级BIOS,但这也给病毒以可乘之机,著名的CIH病毒正是行使这个特点来损坏BIOS,从而导致整个编制瘫痪的。另外,由于单片存储容量大,易于修改,Flash ROM也常用于数码相机和U盘中,因其具有矮功耗、高密度等特点,且异国机电移动装配,稀奇正当于便携式设备。
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